Name: IMWH170R1K0M1XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMWH170R1K0M1XKSA1-ND
Price: 5.8734 EUR
Availability: OutOfStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IMWH170R1K0M1XKSA1
DigiKeyn tuotenumero	448-IMWH170R1K0M1XKSA1-ND
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IMWH170R1K0M1XKSA1
Kuvaus	IMWH170R1K0M1XKSA1
Valmistajan vakio toimitusaika	26 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 1700 V 5,4A (Tj) 70W (Tc) Läpivientiaukko PG-TO247-3-U04
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IMWH170R1K0M1XKSA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Infineon Technologies
Sarja	CoolSiC™
Pakkaustapa	Kaukalo
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	SiCFET (piikarbidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	1700 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	5,4A (Tj)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	12V, 15V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	880mOhm @ 1A, 15V
Vgs(th) (maks.) @ Id	5,7V @ 1,2mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	5.5 nC @ 12 V
Vgs (maks.)	15V, 12V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	233 pF @ 1000 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	70W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Läpivientiaukko
Valmistajan laitepakkaus	PG-TO247-3-U04
Pakkaus / kotelo	TO-247-3