SCT2H12NYTB Rohm Semiconductor | Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SCT2H12NYTB
DigiKeyn tuotenumero	SCT2H12NYTBTR-ND - Rullattu teippi (TR) SCT2H12NYTBCT-ND - Cut Tape (CT) SCT2H12NYTBDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Rohm Semiconductor
Valmistajan tuotenumero	SCT2H12NYTB
Kuvaus	SICFET N-CH 1700V 4A TO268
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 1700 V 4A (Tc) 44W (Tc) Kiinnitys pintaan TO-268
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	SCT2H12NYTB -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Rohm Semiconductor
Sarja	-
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Vanhentunut
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	SiCFET (piikarbidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	1700 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	4A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	18V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	1,5Ohm @ 1,1A, 18V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4V @ 410µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	14 nC @ 18 V
Vgs (maks.)	+22V, -6V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	184 pF @ 800 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	44W (Tc)
Toimintalämpötila	175°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	TO-268
Pakkaus / kotelo	TO-268-3, D3PAK (2 jalkaa + juotoskohta), TO-268AA
Päätuotenumero	SCT2H12