Name: SCT2H12NWBTL1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-SCT2H12NWBTL1TR-ND
Price: 6.41305 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SCT2H12NWBTL1
DigiKeyn tuotenumero	846-SCT2H12NWBTL1TR-ND - Rullattu teippi (TR) 846-SCT2H12NWBTL1CT-ND - Cut Tape (CT) 846-SCT2H12NWBTL1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Rohm Semiconductor
Valmistajan tuotenumero	SCT2H12NWBTL1
Kuvaus	SICFET N-CH 1700V 4A TO268
Valmistajan vakio toimitusaika	23 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 1700 V 3,9A (Tc) 39W (Tc) Kiinnitys pintaan TO-263CA-7LSHYAD
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 4V @ 410µA
Valm. Rohm Semiconductor	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 24 nC @ 18 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) +22V, -6V
Osan tila Aktiivinen	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 197 pF @ 800 V
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Tehohäviö (maks.) 39W (Tc)
Teknologia SiCFET (piikarbidi)	Toimintalämpötila 175°C (TJ)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 1700 V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 3,9A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus TO-263CA-7LSHYAD
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 18V	Pakkaus / kotelo TO-263-8, D2PAK (7 jalkaa + juotoskohta), TO-263CA
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 1,5Ohm @ 1,1A, 18V