Name: RS6L120BGTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RS6L120BGTB1TR-ND
Price: 4.9949 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

RS6L120BGTB1
DigiKeyn tuotenumero	846-RS6L120BGTB1TR-ND - Rullattu teippi (TR) 846-RS6L120BGTB1CT-ND - Cut Tape (CT) 846-RS6L120BGTB1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Rohm Semiconductor
Valmistajan tuotenumero	RS6L120BGTB1
Kuvaus	NCH 60V 120A, HSOP8, POWER MOSFE
Valmistajan vakio toimitusaika	18 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 60 V 120A (Tc) 104W (Tc) Kiinnitys pintaan 8-HSOP
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 2,5V @ 1mA
Valm. Rohm Semiconductor	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 51 nC @ 10 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Osan tila Aktiivinen	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 3520 pF @ 30 V
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Tehohäviö (maks.) 104W (Tc)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Toimintalämpötila 150°C (TJ)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 60 V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 120A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus 8-HSOP
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 4,5V, 10V	Pakkaus / kotelo 8-PowerTDFN
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 2,7mOhm @ 90A, 10V