Name: RS3E135BNGZETB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RS3E135BNGZETBTR-ND
Price: 1.7319 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

RS3E135BNGZETB
DigiKeyn tuotenumero	RS3E135BNGZETBTR-ND - Rullattu teippi (TR) RS3E135BNGZETBCT-ND - Cut Tape (CT) RS3E135BNGZETBDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Rohm Semiconductor
Valmistajan tuotenumero	RS3E135BNGZETB
Kuvaus	MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP
Valmistajan vakio toimitusaika	21 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 30 V 9,5A (Ta) 2W (Tc) Kiinnitys pintaan 8-SOP
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	RS3E135BNGZETB -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Rohm Semiconductor
Sarja	-
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	30 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	9,5A (Ta)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	14,6mOhm @ 9,5A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2,5V @ 1mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	8.3 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	680 pF @ 15 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	2W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	8-SOP
Pakkaus / kotelo	8-SOIC (0,154", 3,90mm leveys)
Päätuotenumero	RS3E