Name: RS1E260ATTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RS1E260ATTB1TR-ND
Price: 3.67715 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

RS1E260ATTB1
DigiKeyn tuotenumero	RS1E260ATTB1TR-ND - Rullattu teippi (TR) RS1E260ATTB1CT-ND - Cut Tape (CT) RS1E260ATTB1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Rohm Semiconductor
Valmistajan tuotenumero	RS1E260ATTB1
Kuvaus	MOSFET P-CH 30V 26A/80A 8HSOP
Valmistajan vakio toimitusaika	21 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	P-kanava 30 V 26A (Ta), 80A (Tc) 3W (Ta) Kiinnitys pintaan 8-HSOP
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	RS1E260ATTB1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Rohm Semiconductor
Sarja	-
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	P-kanava
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	30 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	26A (Ta), 80A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	3,1mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2,5V @ 1mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	175 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	7850 pF @ 15 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	3W (Ta)
Toimintalämpötila	150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	8-HSOP
Pakkaus / kotelo	8-PowerTDFN
Päätuotenumero	RS1E