Name: R6007JND3TL1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: R6007JND3TL1TR-ND
Price: 2.8865 EUR
Availability: OutOfStock

R6007JND3TL1 on loppunut, mutta siitä voi tehdä jälkitilauksen.

Saatavana olevat korvaavat osat:

MFR Recommended

Rohm Semiconductor

Varastossa: 8 658

Yksikköhinta : 3,26000 €

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

R6007JND3TL1
DigiKeyn tuotenumero	R6007JND3TL1TR-ND - Rullattu teippi (TR) R6007JND3TL1CT-ND - Cut Tape (CT) R6007JND3TL1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Rohm Semiconductor
Valmistajan tuotenumero	R6007JND3TL1
Kuvaus	MOSFET N-CH 600V 7A TO252
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 600 V 7A (Tc) 96W (Tc) Kiinnitys pintaan TO-252
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Rohm Semiconductor
Sarja	-
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Ei uusiin suunnitelmiin
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	600 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	7A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	15V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	780mOhm @ 3,5A, 15V
Vgs(th) (maks.) @ Id	7V @ 1mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	17.5 nC @ 15 V
Vgs (maks.)	±30V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	475 pF @ 100 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	96W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	TO-252
Pakkaus / kotelo	TO-252-3, DPAK (2 jalkaa + juotoskohta), SC-63
Päätuotenumero	R6007