FDG311N Fairchild Semiconductor | Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

FDG311N
DigiKeyn tuotenumero	2156-FDG311N-ND
Valmistaja	Fairchild Semiconductor
Valmistajan tuotenumero	FDG311N
Kuvaus	MOSFET N-CH 20V 1.9A SC88
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 20 V 1,9A (Ta) 750mW (Ta) Kiinnitys pintaan SC-88 (SC-70-6)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Fairchild Semiconductor
Sarja	PowerTrench®
Pakkaustapa	Irtotavara
Osan tila	Vanhentunut
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	20 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	1,9A (Ta)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	2,5V, 4,5V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	115mOhm @ 1,9A, 4,5V
Vgs(th) (maks.) @ Id	1,5V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	4.5 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)	±8V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	270 pF @ 10 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	750mW (Ta)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	SC-88 (SC-70-6)
Pakkaus / kotelo	6-TSSOP, SC-88, SOT-363