Name: NP36P04SDG-E1-AY
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 559-NP36P04SDG-E1-AYTR-ND
Price: 2.7359 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

NP36P04SDG-E1-AY
DigiKeyn tuotenumero	559-NP36P04SDG-E1-AYTR-ND - Rullattu teippi (TR) 559-NP36P04SDG-E1-AYCT-ND - Cut Tape (CT) 559-NP36P04SDG-E1-AYDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Renesas Electronics Corporation
Valmistajan tuotenumero	NP36P04SDG-E1-AY
Kuvaus	MOSFET P-CH 40V 36A TO252
Valmistajan vakio toimitusaika	12 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	P-kanava 40 V 36A (Tc) 1,2W (Ta), 56W (Tc) Kiinnitys pintaan TO-252 (MP-3ZK)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	NP36P04SDG-E1-AY -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Renesas Electronics Corporation
Sarja	-
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	P-kanava
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	40 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	36A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	17mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2,5V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	55 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	2800 pF @ 10 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	1,2W (Ta), 56W (Tc)
Toimintalämpötila	175°C (TJ)
Luokka	Autoteollisuus
Hyväksyntä	AEC-Q101
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	TO-252 (MP-3ZK)
Pakkaus / kotelo	TO-252-3, DPAK (2 jalkaa + juotoskohta), SC-63
Päätuotenumero	NP36P04