Name: NVMYS2D9N04CLTWG
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMYS2D9N04CLTWGTR-ND
Price: 1.69425 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

NVMYS2D9N04CLTWG
DigiKeyn tuotenumero	488-NVMYS2D9N04CLTWGTR-ND - Rullattu teippi (TR) 488-NVMYS2D9N04CLTWGCT-ND - Cut Tape (CT) 488-NVMYS2D9N04CLTWGDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	onsemi
Valmistajan tuotenumero	NVMYS2D9N04CLTWG
Kuvaus	MOSFET N-CH 40V 27A/110A LFPAK4
Valmistajan vakio toimitusaika	19 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 40 V 27A (Ta), 110A (Tc) 3,7W (Ta), 68W (Tc) Kiinnitys pintaan LFPAK4 (5x6)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	onsemi
Sarja	-
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	40 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	27A (Ta), 110A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	2,8mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2V @ 60µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	35 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	2100 pF @ 20 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	3,7W (Ta), 68W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	Autoteollisuus
Hyväksyntä	AEC-Q101
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	LFPAK4 (5x6)
Pakkaus / kotelo	SOT-1023, 4-LFPAK
Päätuotenumero	NVMYS2