Name: NVMYS2D1N04CLTWG
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMYS2D1N04CLTWGTR-ND
Price: 2.27155 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

NVMYS2D1N04CLTWG
DigiKeyn tuotenumero	488-NVMYS2D1N04CLTWGTR-ND - Rullattu teippi (TR) 488-NVMYS2D1N04CLTWGCT-ND - Cut Tape (CT) 488-NVMYS2D1N04CLTWGDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	onsemi
Valmistajan tuotenumero	NVMYS2D1N04CLTWG
Kuvaus	MOSFET N-CH 40V 29A/132A LFPAK4
Valmistajan vakio toimitusaika	22 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 40 V 29A (Ta), 132A (Tc) 3,9W (Ta), 83W (Tc) Kiinnitys pintaan LFPAK4 (5x6)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	onsemi
Sarja	-
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	40 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	29A (Ta), 132A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	2,5mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2V @ 90µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	50 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	3100 pF @ 25 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	3,9W (Ta), 83W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	Autoteollisuus
Hyväksyntä	AEC-Q101
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	LFPAK4 (5x6)
Pakkaus / kotelo	SOT-1023, 4-LFPAK
Päätuotenumero	NVMYS2