Name: NVD5117PLT4G-VF01
Brand: onsemi
SKU: NVD5117PLT4G-VF01TR-ND
Price: 3.9407 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

NVD5117PLT4G-VF01
DigiKeyn tuotenumero	NVD5117PLT4G-VF01TR-ND - Rullattu teippi (TR) NVD5117PLT4G-VF01CT-ND - Cut Tape (CT) NVD5117PLT4G-VF01DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	onsemi
Valmistajan tuotenumero	NVD5117PLT4G-VF01
Kuvaus	MOSFET P-CH 60V 11A/61A DPAK
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	P-kanava 60 V 11A (Ta), 61A (Tc) 4,1W (Ta), 118W (Tc) Kiinnitys pintaan DPAK
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	onsemi
Sarja	-
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Ei uusiin suunnitelmiin
FET-tyyppi	P-kanava
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	60 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	11A (Ta), 61A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	16mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2,5V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	85 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	4800 pF @ 25 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	4,1W (Ta), 118W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	Autoteollisuus
Hyväksyntä	AEC-Q101
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	DPAK
Pakkaus / kotelo	TO-252-3, DPAK (2 jalkaa + juotoskohta), SC-63
Päätuotenumero	NVD5117