Name: NTTFS1D2N02P1E
Brand: onsemi
SKU: 488-NTTFS1D2N02P1ETR-ND
Price: 3.1877 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

NTTFS1D2N02P1E
DigiKeyn tuotenumero	488-NTTFS1D2N02P1ETR-ND - Rullattu teippi (TR) 488-NTTFS1D2N02P1ECT-ND - Cut Tape (CT) 488-NTTFS1D2N02P1EDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	onsemi
Valmistajan tuotenumero	NTTFS1D2N02P1E
Kuvaus	MOSFET N-CH 25V 23A/180A 8PQFN
Valmistajan vakio toimitusaika	24 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 25 V 23A (Ta), 180A (Tc) 820mW (Ta), 52W (Tc) Kiinnitys pintaan 8-PQFN (3,3x3,3)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	NTTFS1D2N02P1E -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	onsemi
Sarja	-
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	25 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	23A (Ta), 180A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	1mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2V @ 934µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	24 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)	+16V, -12V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	4040 pF @ 13 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	820mW (Ta), 52W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	8-PQFN (3,3x3,3)
Pakkaus / kotelo	8-PowerWDFN
Päätuotenumero	NTTFS1