NTR1P02T1 onsemi | Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina

NTR1P02T1 on vanhentunut, eikä sitä enää valmisteta.

Saatavana olevat korvaavat osat:

Suora

onsemi

Varastossa: 17 098

Yksikköhinta : 0,43000 €

Parametrisesti vastaava

onsemi

Varastossa: 5 697

Yksikköhinta : 0,57000 €

Samankaltainen

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Varastossa: 18 666

Yksikköhinta : 0,35000 €

Samankaltainen

Nexperia USA Inc.

Varastossa: 0

Yksikköhinta : 0,39000 €

Samankaltainen

Diodes Incorporated

Varastossa: 330

Yksikköhinta : 0,39000 €

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

NTR1P02T1
DigiKeyn tuotenumero	NTR1P02T1OS-ND - Rullattu teippi (TR)
Valmistaja	onsemi
Valmistajan tuotenumero	NTR1P02T1
Kuvaus	MOSFET P-CH 20V 1A SOT23-3
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	P-kanava 20 V 1A (Ta) 400mW (Ta) Kiinnitys pintaan SOT-23-3 (TO-236)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	NTR1P02T1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	onsemi
Sarja	-
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR)
Osan tila	Vanhentunut
FET-tyyppi	P-kanava
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	20 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	1A (Ta)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	180mOhm @ 1,5A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2,3V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	2.5 nC @ 5 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	165 pF @ 5 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	400mW (Ta)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	SOT-23-3 (TO-236)
Pakkaus / kotelo	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Päätuotenumero	NTR1P0