FCH099N60E onsemi | Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina

FCH099N60E on vanhentunut, eikä sitä enää valmisteta.

Saatavana olevat korvaavat osat:

MFR Recommended

onsemi

Varastossa: 207

Yksikköhinta : 5,25000 €

Samankaltainen

Rohm Semiconductor

Varastossa: 529

Yksikköhinta : 6,08000 €

Samankaltainen

STMicroelectronics

Varastossa: 0

Yksikköhinta : 5,67000 €

Samankaltainen

Taiwan Semiconductor Corporation

Varastossa: 2 055

Yksikköhinta : 8,28000 €

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

FCH099N60E
DigiKeyn tuotenumero	FCH099N60E-ND
Valmistaja	onsemi
Valmistajan tuotenumero	FCH099N60E
Kuvaus	MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 600 V 37A (Tc) 357W (Tc) Läpivientiaukko TO-247-3
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	FCH099N60E -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	onsemi
Sarja	SuperFET® II
Pakkaustapa	Putki
Osan tila	Vanhentunut
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	600 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	37A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	99mOhm @ 18,5A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	3,5V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	114 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	3465 pF @ 380 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	357W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Läpivientiaukko
Valmistajan laitepakkaus	TO-247-3
Pakkaus / kotelo	TO-247-3
Päätuotenumero	FCH099