2SJ652-1E on vanhentunut, eikä sitä enää valmisteta.
Saatavana olevat korvaavat osat:

Samankaltainen


onsemi
Varastossa: 3 657
Yksikköhinta : 3,67000 €
Tekniset tiedot

Samankaltainen


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Varastossa: 0
Yksikköhinta : 0,46091 €
Tekniset tiedot
TO-220-3
Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

2SJ652-1E

DigiKeyn tuotenumero
2SJ652-1EOS-ND
Valmistaja
Valmistajan tuotenumero
2SJ652-1E
Kuvaus
MOSFET P-CH 60V 28A TO220F-3SG
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus
P-kanava 60 V 28A (Ta) 2W (Ta), 30W (Tc) Läpivientiaukko TO-220F-3SG
EDA/CAD-mallit
2SJ652-1E -mallit
Tuotteen ominaisuudet
Tyyppi
Kuvaus
Valitse kaikki
Kategoria
Valm.
Sarja
-
Pakkaustapa
Putki
Osan tila
Vanhentunut
FET-tyyppi
Teknologia
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)
60 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)
4V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
38mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id
-
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds
4360 pF @ 20 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (maks.)
2W (Ta), 30W (Tc)
Toimintalämpötila
150°C (TJ)
Luokka
-
Hyväksyntä
-
Asennustyyppi
Läpivientiaukko
Valmistajan laitepakkaus
TO-220F-3SG
Pakkaus / kotelo
Päätuotenumero
Tuotteita koskevat kysymykset ja vastaukset

Katso, mitä suunnittelijat kysyvät, tee kysymyksiä ja auta toisia DigiKeyn suunnitteluyhteisössä

Vanhentunut
Tätä tuotetta ei enää valmisteta. Näytä Korvaavat osat.