NC1M120C75HTNG NovuSem | Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

NC1M120C75HTNG
DigiKeyn tuotenumero	3372-NC1M120C75HTNG-ND
Valmistaja	NovuSem
Valmistajan tuotenumero	NC1M120C75HTNG
Kuvaus	SiC MOSFET N 1200V 75mohm 47A 4
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 1200 V 47A (Tc) 288W (Ta) Läpivientiaukko TO-247-4L
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	NovuSem
Sarja	NC1M
Pakkaustapa	Putki
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	SiCFET (piikarbidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	1200 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	47A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	20V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	75mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2,8V @ 5mA
Vgs (maks.)	+20V, -5V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	1450 pF @ 1000 V
Tehohäviö (maks.)	288W (Ta)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Asennustyyppi	Läpivientiaukko
Valmistajan laitepakkaus	TO-247-4L
Pakkaus / kotelo	TO-247-4