Name: IXTY1R6N50D2-TRL
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTY1R6N50D2-TRLTR-ND
Price: 4.98235 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IXTY1R6N50D2-TRL
DigiKeyn tuotenumero	238-IXTY1R6N50D2-TRLTR-ND - Rullattu teippi (TR) 238-IXTY1R6N50D2-TRLCT-ND - Cut Tape (CT) 238-IXTY1R6N50D2-TRLDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	IXYS
Valmistajan tuotenumero	IXTY1R6N50D2-TRL
Kuvaus	MOSFET N-CH 500V 1.6A TO252AA
Valmistajan vakio toimitusaika	50 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanava, tyhjennystyyppi 500 V 1,6A (Tj) 100W (Tc) Kiinnitys pintaan TO-252AA
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	IXYS
Sarja	Depletion
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanava, tyhjennystyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	500 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	1,6A (Tj)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	0V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	2,3Ohm @ 800mA, 0V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4,5V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	23.7 nC @ 5 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	645 pF @ 25 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	100W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	TO-252AA
Pakkaus / kotelo	TO-252-3, DPAK (2 jalkaa + juotoskohta), SC-63
Päätuotenumero	IXTY1