Name: IXTT110N10L2
Brand: IXYS
SKU: IXTT110N10L2-ND
Price: 27.0327 EUR
Availability: OutOfStock

IXTT110N10L2 on loppunut, mutta siitä voi tehdä jälkitilauksen.

Saatavana olevat korvaavat osat:

Parametrisesti vastaava

IXYS

Varastossa: 246

Yksikköhinta : 21,54000 €

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IXTT110N10L2
DigiKeyn tuotenumero	IXTT110N10L2-ND
Valmistaja	IXYS
Valmistajan tuotenumero	IXTT110N10L2
Kuvaus	MOSFET N-CH 100V 110A TO268
Valmistajan vakio toimitusaika	37 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 100 V 110A (Tc) 600W (Tc) Kiinnitys pintaan TO-268AA
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 4,5V @ 250µA
Valm. IXYS	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 260 nC @ 10 V
Sarja Linear L2™	Vgs (maks.) ±20V
Pakkaustapa Putki	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 10500 pF @ 25 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 600W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 100 V	Valmistajan laitepakkaus TO-268AA
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 110A (Tc)	Pakkaus / kotelo TO-268-3, D3PAK (2 jalkaa + juotoskohta), TO-268AA
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 10V	Päätuotenumero IXTT110
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 18mOhm @ 55A, 10V