Name: IXTQ26P20P
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTQ26P20P-ND
Price: 9.27445 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IXTQ26P20P
DigiKeyn tuotenumero	238-IXTQ26P20P-ND
Valmistaja	IXYS
Valmistajan tuotenumero	IXTQ26P20P
Kuvaus	MOSFET P-CH 200V 26A TO3P
Valmistajan vakio toimitusaika	38 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	P-kanava 200 V 26A (Tc) 300W (Tc) Läpivientiaukko TO-3P
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	IXYS
Sarja	PolarP™
Pakkaustapa	Putki
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	P-kanava
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	200 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	26A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	170mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	56 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	2740 pF @ 25 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	300W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Läpivientiaukko
Valmistajan laitepakkaus	TO-3P
Pakkaus / kotelo	TO-3P-3, SC-65-3
Päätuotenumero	IXTQ26