Name: IXTP1R6N100D2
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTP1R6N100D2-ND
Price: 4.98235 EUR
Availability: OutOfStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IXTP1R6N100D2
DigiKeyn tuotenumero	238-IXTP1R6N100D2-ND
Valmistaja	IXYS
Valmistajan tuotenumero	IXTP1R6N100D2
Kuvaus	MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB
Valmistajan vakio toimitusaika	50 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanava, tyhjennystyyppi 1000 V 1,6A (Tc) 100W (Tc) Läpivientiaukko TO-220-3
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	IXYS
Sarja	Depletion
Pakkaustapa	Putki
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanava, tyhjennystyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	1000 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	1,6A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	10Ohm @ 800mA, 0V
Vgs(th) (maks.) @ Id	-
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	27 nC @ 5 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	645 pF @ 25 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	100W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Läpivientiaukko
Valmistajan laitepakkaus	TO-220-3
Pakkaus / kotelo	TO-220-3
Päätuotenumero	IXTP1