Name: IXTP08N100P
Brand: IXYS
SKU: IXTP08N100P-ND
Price: 4.5933 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IXTP08N100P
DigiKeyn tuotenumero	IXTP08N100P-ND
Valmistaja	IXYS
Valmistajan tuotenumero	IXTP08N100P
Kuvaus	MOSFET N-CH 1000V 800MA TO220AB
Valmistajan vakio toimitusaika	21 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 1000 V 800mA (Tc) 42W (Tc) Läpivientiaukko TO-220-3
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 4V @ 50µA
Valm. IXYS	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 11.3 nC @ 10 V
Sarja Polar	Vgs (maks.) ±20V
Pakkaustapa Putki	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 240 pF @ 25 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 42W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Läpivientiaukko
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 1000 V	Valmistajan laitepakkaus TO-220-3
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 800mA (Tc)	Pakkaus / kotelo TO-220-3
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 10V	Päätuotenumero IXTP08
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 20Ohm @ 500mA, 10V

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Varastossa: 209

Tehtaan varastossa: 1 050

Tutustu myös saapuviin tuotteisiin

Määrä

Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR

Putki