N-kanava, tyhjennystyyppi 500 V 30mA (Tj) 740mW (Ta) Läpivientiaukko TO-92-3
Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

LND150N3-G

DigiKeyn tuotenumero
LND150N3-G-ND
Valmistaja
Valmistajan tuotenumero
LND150N3-G
Kuvaus
MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Valmistajan vakio toimitusaika
12 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus
N-kanava, tyhjennystyyppi 500 V 30mA (Tj) 740mW (Ta) Läpivientiaukko TO-92-3
Tekniset tiedot
 Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit
LND150N3-G -mallit
Tuotteen ominaisuudet
Näytä samankaltaiset tuotteet
Näytä tyhjät attribuutit
Kategoria
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
1000Ohm @ 500µA, 0V
Valm.
Vgs (maks.)
±20V
Pakkaustapa
Pussi
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds
10 pF @ 25 V
Osan tila
Aktiivinen
Tehohäviö (maks.)
740mW (Ta)
FET-tyyppi
Toimintalämpötila
-55°C – 150°C (TJ)
Teknologia
Asennustyyppi
Läpivientiaukko
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)
500 V
Valmistajan laitepakkaus
TO-92-3
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C
Pakkaus / kotelo
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)
0V
Päätuotenumero
Ympäristö- ja vientiluokitukset
Tuotteita koskevat kysymykset ja vastaukset
Lisäresurssit
Varastossa: 5 261
Tutustu myös saapuviin tuotteisiin
Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR
Pussi
Määrä Yksikköhinta Yhteensä
10,51000 €0,51 €
250,44200 €11,05 €
1000,39100 €39,10 €
Yksikköhinta ilman ALV-veroa:0,51000 €
Yksikköhinta ALV-veron kanssa:0,64005 €