Name: IXTP08N100D2
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTP08N100D2-ND
Price: 3.97835 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IXTP08N100D2
DigiKeyn tuotenumero	238-IXTP08N100D2-ND
Valmistaja	IXYS
Valmistajan tuotenumero	IXTP08N100D2
Kuvaus	MOSFET N-CH 1000V 800MA TO220AB
Valmistajan vakio toimitusaika	32 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanava, tyhjennystyyppi 1000 V 800mA (Tc) 60W (Tc) Läpivientiaukko TO-220-3
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IXTP08N100D2 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	IXYS
Sarja	Depletion
Pakkaustapa	Putki
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanava, tyhjennystyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	1000 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	800mA (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	-
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	21Ohm @ 400mA, 0V
Vgs(th) (maks.) @ Id	-
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	14.6 nC @ 5 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	325 pF @ 25 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	60W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Läpivientiaukko
Valmistajan laitepakkaus	TO-220-3
Pakkaus / kotelo	TO-220-3
Päätuotenumero	IXTP08