IXFX120N25 IXYS | Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IXFX120N25
DigiKeyn tuotenumero	IXFX120N25-ND
Valmistaja	IXYS
Valmistajan tuotenumero	IXFX120N25
Kuvaus	MOSFET N-CH 250V 120A PLUS247-3
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 250 V 120A (Tc) 560W (Tc) Läpivientiaukko PLUS247™-3

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	IXYS
Sarja	HiPerFET™
Pakkaustapa	Putki
Osan tila	Vanhentunut
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	250 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	120A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	22mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4V @ 8mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	400 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	9400 pF @ 25 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	560W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Läpivientiaukko
Valmistajan laitepakkaus	PLUS247™-3
Pakkaus / kotelo	TO-247-3-muunnos
Päätuotenumero	IXFX120