IXFH9N80Q IXYS | Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina

IXFH9N80Q on vanhentunut, eikä sitä enää valmisteta.

Saatavana olevat korvaavat osat:

Samankaltainen

Infineon Technologies

Varastossa: 1 121

Yksikköhinta : 3,28000 €

Samankaltainen

Infineon Technologies

Varastossa: 1 128

Yksikköhinta : 4,06000 €

Samankaltainen

STMicroelectronics

Varastossa: 551

Yksikköhinta : 5,15000 €

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IXFH9N80Q
DigiKeyn tuotenumero	IXFH9N80Q-ND
Valmistaja	IXYS
Valmistajan tuotenumero	IXFH9N80Q
Kuvaus	MOSFET N-CH 800V 9A TO247AD
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 800 V 9A (Tc) 180W (Tc) Läpivientiaukko TO-247AD (IXFH)

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	IXYS
Sarja	HiPerFET™, Q Class
Pakkaustapa	Putki
Osan tila	Vanhentunut
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	800 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	9A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	1,1Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	5V @ 2,5mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	56 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	2200 pF @ 25 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	180W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Läpivientiaukko
Valmistajan laitepakkaus	TO-247AD (IXFH)
Pakkaus / kotelo	TO-247-3
Päätuotenumero	IXFH9