Name: IMW120R040M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMW120R040M1HXKSA1-ND
Price: 14.64585 EUR
Availability: OutOfStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IMW120R040M1HXKSA1
DigiKeyn tuotenumero	448-IMW120R040M1HXKSA1-ND
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IMW120R040M1HXKSA1
Kuvaus	SIC DISCRETE
Valmistajan vakio toimitusaika	39 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 1200 V 55A (Tc) 227W (Tc) Läpivientiaukko PG-TO247-3
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IMW120R040M1HXKSA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 54,4mOhm @ 19,3A, 18V
Valm. Infineon Technologies	Vgs(th) (maks.) @ Id 5,2V @ 10mA
Sarja CoolSiC™	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 51 nC @ 18 V
Pakkaustapa Putki	Vgs (maks.) +20V, -5V
Osan tila Aktiivinen	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 1620 pF @ 800 V
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Tehohäviö (maks.) 227W (Tc)
Teknologia SiCFET (piikarbidi)	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 1200 V	Asennustyyppi Läpivientiaukko
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 55A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus PG-TO247-3
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 15V, 18V	Pakkaus / kotelo TO-247-3