Name: IMW120R007M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMW120R007M1HXKSA1-ND
Price: 63.8544 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IMW120R007M1HXKSA1
DigiKeyn tuotenumero	448-IMW120R007M1HXKSA1-ND
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IMW120R007M1HXKSA1
Kuvaus	SIC DISCRETE
Valmistajan vakio toimitusaika	54 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 1200 V 225A (Tc) 750W (Tc) Läpivientiaukko PG-TO247-3
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IMW120R007M1HXKSA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 9,9mOhm @ 108A, 18V
Valm. Infineon Technologies	Vgs(th) (maks.) @ Id 5,2V @ 47mA
Sarja CoolSiC™	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 289 nC @ 18 V
Pakkaustapa Putki	Vgs (maks.) +20V, -5V
Osan tila Aktiivinen	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 9170 pF @ 800 V
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Tehohäviö (maks.) 750W (Tc)
Teknologia SiCFET (piikarbidi)	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 1200 V	Asennustyyppi Läpivientiaukko
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 225A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus PG-TO247-3
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 15V, 18V	Pakkaus / kotelo TO-247-3