Asetukset
Nopea toimitus
Ilmainen toimitus
Incoterms
Maksutyypit
Markkinapaikan tuote
Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.
IMW65R007M2HXKSA1 | |
|---|---|
DigiKeyn tuotenumero | 448-IMW65R007M2HXKSA1-ND |
Valmistaja | |
Valmistajan tuotenumero | IMW65R007M2HXKSA1 |
Kuvaus | SILICON CARBIDE MOSFET |
Valmistajan vakio toimitusaika | 23 viikkoa |
Asiakkaan referenssi | |
Tarkka kuvaus | N-kanavatyyppi 650 V 171A (Tc) 625W (Tc) Läpivientiaukko PG-TO247-3-U06 |
Tekniset tiedot | Tekniset tiedot |
EDA/CAD-mallit | IMW65R007M2HXKSA1 -mallit |
Tuotteen ominaisuudet
Tyyppi | Kuvaus | Valitse kaikki |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Valm. | ||
Sarja | ||
Pakkaustapa | Putki | |
Osan tila | Aktiivinen | |
FET-tyyppi | ||
Teknologia | ||
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) | 650 V | |
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C | ||
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) | 15V, 20V | |
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs | 6,1mOhm @ 146,3A, 20V | |
Vgs(th) (maks.) @ Id | 5,6V @ 29,7mA | |
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs | 179 nC @ 18 V | |
Vgs (maks.) | +23V, -7V | |
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds | 6359 pF @ 400 V | |
FET-ominaisuus | - | |
Tehohäviö (maks.) | 625W (Tc) | |
Toimintalämpötila | -55°C – 175°C (TJ) | |
Luokka | - | |
Hyväksyntä | - | |
Asennustyyppi | Läpivientiaukko | |
Valmistajan laitepakkaus | PG-TO247-3-U06 | |
Pakkaus / kotelo |
Varastossa: 1 630
Tutustu myös saapuviin tuotteisiin
Määrä
Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR
Putki
| Määrä | Yksikköhinta | Yhteensä |
|---|---|---|
| 1 | 23,84000 € | 23,84 € |
| 30 | 15,46067 € | 463,82 € |
| 120 | 15,29100 € | 1 834,92 € |
| Yksikköhinta ilman ALV-veroa: | 23,84000 € |
|---|---|
| Yksikköhinta ALV-veron kanssa: | 29,91920 € |
Saattaisit olla kiinnostunut myös seuraavasta:Näytä kaikki
10 tuotetta
Suomi