Name: IMW65R007M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMW65R007M2HXKSA1-ND
Price: 38.13945 EUR
Availability: OutOfStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IMW65R007M2HXKSA1
DigiKeyn tuotenumero	448-IMW65R007M2HXKSA1-ND
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IMW65R007M2HXKSA1
Kuvaus	SILICON CARBIDE MOSFET
Valmistajan vakio toimitusaika	61 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 650 V 171A (Tc) 625W (Tc) Läpivientiaukko PG-TO247-3-U06
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IMW65R007M2HXKSA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 6,1mOhm @ 146,3A, 20V
Valm. Infineon Technologies	Vgs(th) (maks.) @ Id 5,6V @ 29,7mA
Sarja CoolSiC™	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 179 nC @ 18 V
Pakkaustapa Putki	Vgs (maks.) +23V, -7V
Osan tila Aktiivinen	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 6359 pF @ 400 V
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Tehohäviö (maks.) 625W (Tc)
Teknologia SiCFET (piikarbidi)	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 650 V	Asennustyyppi Läpivientiaukko
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 171A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus PG-TO247-3-U06
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 15V, 20V	Pakkaus / kotelo TO-247-3