Name: NTHL022N120M3S
Brand: onsemi
SKU: 5556-NTHL022N120M3S-ND
Price: 20.77025 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

NTHL022N120M3S
DigiKeyn tuotenumero	5556-NTHL022N120M3S-ND
Valmistaja	onsemi
Valmistajan tuotenumero	NTHL022N120M3S
Kuvaus	SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI
Valmistajan vakio toimitusaika	20 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 1200 V 68A (Tc) 352W (Tc) Läpivientiaukko TO-247-3
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	onsemi
Sarja	-
Pakkaustapa	Putki
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	SiCFET (piikarbidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	1200 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	68A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	18V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	30mOhm @ 40A, 18V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4,4V @ 20mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	139 nC @ 18 V
Vgs (maks.)	+22V, -10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	3130 pF @ 800 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	352W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Läpivientiaukko
Valmistajan laitepakkaus	TO-247-3
Pakkaus / kotelo	TO-247-3