Name: NTHL022N120M3S
Brand: onsemi
SKU: 5556-NTHL022N120M3S-ND
Price: 22.1884 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

NTHL022N120M3S
DigiKeyn tuotenumero	5556-NTHL022N120M3S-ND
Valmistaja	onsemi
Valmistajan tuotenumero	NTHL022N120M3S
Kuvaus	SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI
Valmistajan vakio toimitusaika	21 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 1200 V 68A (Tc) 352W (Tc) Läpivientiaukko TO-247-3
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 4,4V @ 20mA
Valm. onsemi	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 139 nC @ 18 V
Pakkaustapa Putki	Vgs (maks.) +22V, -10V
Osan tila Aktiivinen	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 3130 pF @ 800 V
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Tehohäviö (maks.) 352W (Tc)
Teknologia SiCFET (piikarbidi)	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 1200 V	Asennustyyppi Läpivientiaukko
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 68A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus TO-247-3
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 18V	Pakkaus / kotelo TO-247-3
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 30mOhm @ 40A, 18V