Name: ISS55EP06LMXTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISS55EP06LMXTSA1TR-ND
Price: 0.26355 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

ISS55EP06LMXTSA1
DigiKeyn tuotenumero	448-ISS55EP06LMXTSA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) 448-ISS55EP06LMXTSA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-ISS55EP06LMXTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	ISS55EP06LMXTSA1
Kuvaus	MOSFET P-CH 60V 180MA SOT23-3
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	P-kanava 60 V 180mA (Ta) 400mW (Ta) Kiinnitys pintaan PG-SOT23-3-5
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	ISS55EP06LMXTSA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Infineon Technologies
Sarja	OptiMOS™
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Viimeinen ostohetki
FET-tyyppi	P-kanava
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	60 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	180mA (Ta)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	5,5Ohm @ 180mA, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2V @ 11µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	0.59 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	18 pF @ 30 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	400mW (Ta)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	PG-SOT23-3-5
Pakkaus / kotelo	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Päätuotenumero	ISS55EP06

Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Varastossa: 8 998

Tutustu myös saapuviin tuotteisiin

Viimeinen ostopäivämäärä: 31.12.2025

Määrä

Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR

Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

* Kaikkiin Digi-Reel-tilauksiin lisätään lisämaksu 5,50 €.

Rullattu teippi (TR)