Name: ISG0616N10NM5HSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISG0616N10NM5HSCATMA1TR-ND
Price: 7.53 EUR
Availability: OutOfStock

MOSFETit - ryhmät 100V 19A (Ta), 139A (Tc) 3W (Ta), 167W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-WHITFN-10-1

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

ISG0616N10NM5HSCATMA1
DigiKeyn tuotenumero	448-ISG0616N10NM5HSCATMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) 448-ISG0616N10NM5HSCATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-ISG0616N10NM5HSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	ISG0616N10NM5HSCATMA1
Kuvaus	MOSFET 2N-CH 100V 19A 10WHITFN
Valmistajan vakio toimitusaika	48 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	MOSFETit - ryhmät 100V 19A (Ta), 139A (Tc) 3W (Ta), 167W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-WHITFN-10-1
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET FET, MOSFET-ryhmät	Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 4mOhm @ 50A, 10V
Valmistaja Infineon Technologies	Vgs(th) (maks.) @ Id 3,8V @ 85µA
Sarja OptiMOS™ 5	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 78nC @ 10V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 4800pF @ 50V
Osan tila Aktiivinen	Teho - maksimi 3W (Ta), 167W (Tc)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
Konfiguraatio 2 N-kanavaa (puolisilta)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 100V	Pakkaus / kotelo 10-PowerWDFN
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 19A (Ta), 139A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus PG-WHITFN-10-1