Name: SIZF4800LDT-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIZF4800LDT-T1-GE3TR-ND
Price: 2.6606 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SIZF4800LDT-T1-GE3
DigiKeyn tuotenumero	742-SIZF4800LDT-T1-GE3TR-ND - Rullattu teippi (TR) 742-SIZF4800LDT-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) 742-SIZF4800LDT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SIZF4800LDT-T1-GE3
Kuvaus	MOSFET 2N-CH 80V 10A PWRPAIR
Valmistajan vakio toimitusaika	55 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	MOSFETit - ryhmät 80V 10A (Ta), 36A (Tc) 4,5W (Ta), 56,8W (Tc) Kiinnitys pintaan PowerPAIR® 3x3FS
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	SIZF4800LDT-T1-GE3 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET FET, MOSFET-ryhmät	Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 19mOhm @ 10A, 10V
Valmistaja Vishay Siliconix	Vgs(th) (maks.) @ Id 2V @ 250µA
Sarja TrenchFET®	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 23nC @ 10V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 950pF @ 40V
Osan tila Aktiivinen	Teho - maksimi 4,5W (Ta), 56,8W (Tc)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Konfiguraatio 2 N-kanavaa (puolisilta)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 80V	Pakkaus / kotelo 12-PowerPair™
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 10A (Ta), 36A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus PowerPAIR® 3x3FS