Name: ISG0614N06NM5HSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISG0614N06NM5HSCATMA1TR-ND
Price: 5.6726 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

ISG0614N06NM5HSCATMA1
DigiKeyn tuotenumero	448-ISG0614N06NM5HSCATMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) 448-ISG0614N06NM5HSCATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-ISG0614N06NM5HSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	ISG0614N06NM5HSCATMA1
Kuvaus	MOSFET 2N-CH 60V 31A 10WHITFN
Valmistajan vakio toimitusaika	18 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	MOSFETit - ryhmät 60V 31A (Ta), 233A (Tc) 3W (Ta), 167W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-WHITFN-10-1
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	ISG0614N06NM5HSCATMA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET FET, MOSFET-ryhmät
Valmistaja	Infineon Technologies
Sarja	OptiMOS™ 5
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Konfiguraatio	2 N-kanavaa (puolisilta)
FET-ominaisuus	-
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	60V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	31A (Ta), 233A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	1,6mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	3,3V @ 86µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	102nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	6400pF @ 30V
Teho - maksimi	3W (Ta), 167W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Pakkaus / kotelo	10-PowerWDFN
Valmistajan laitepakkaus	PG-WHITFN-10-1