Name: ISC058N04NM5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISC058N04NM5ATMA1TR-ND
Price: 1.31775 EUR
Availability: InStock

ISC058N04NM5ATMA1
DigiKeyn tuotenumero	448-ISC058N04NM5ATMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) 448-ISC058N04NM5ATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-ISC058N04NM5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	ISC058N04NM5ATMA1
Kuvaus	40V 5.8M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Valmistajan vakio toimitusaika	61 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 40 V 17A (Ta), 63A (Tc) 3W (Ta), 42W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-TDSON-8 FL
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	ISC058N04NM5ATMA1 -mallit

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Infineon Technologies
Sarja	OptiMOS™ 5
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	40 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	17A (Ta), 63A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	7V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	5,8mOhm @ 31A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	3,4V @ 13µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	16 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	1100 pF @ 20 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	3W (Ta), 42W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	PG-TDSON-8 FL
Pakkaus / kotelo	8-PowerTDFN
Päätuotenumero	ISC058N

Yksikköhinta ilman ALV-veroa:	1,05000 €
Yksikköhinta ALV-veron kanssa:	1,31775 €

ISC058N04NM5ATMA1