Name: ISC035N10NM5LF2ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISC035N10NM5LF2ATMA1TR-ND
Price: 5.53455 EUR
Availability: OutOfStock

N-kanavatyyppi 100 V 19A (Ta), 164A (Tc) 3W (Ta), 217W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-TDSON-8 FL

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

ISC035N10NM5LF2ATMA1
DigiKeyn tuotenumero	448-ISC035N10NM5LF2ATMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) 448-ISC035N10NM5LF2ATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-ISC035N10NM5LF2ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	ISC035N10NM5LF2ATMA1
Kuvaus	ISC035N10NM5LF2ATMA1 MOSFET
Valmistajan vakio toimitusaika	61 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 100 V 19A (Ta), 164A (Tc) 3W (Ta), 217W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-TDSON-8 FL
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 3,5mOhm @ 50A, 10V
Valm. Infineon Technologies	Vgs(th) (maks.) @ Id 3,9V @ 115µA
Sarja OptiMOS™ 5	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 88 nC @ 10 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Osan tila Aktiivinen	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 7200 pF @ 50 V
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Tehohäviö (maks.) 3W (Ta), 217W (Tc)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 100 V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 19A (Ta), 164A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus PG-TDSON-8 FL
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 10V	Pakkaus / kotelo 8-PowerTDFN