Name: ISZ113N10NM5LF2ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISZ113N10NM5LF2ATMA1TR-ND
Price: 2.72335 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

ISZ113N10NM5LF2ATMA1
DigiKeyn tuotenumero	448-ISZ113N10NM5LF2ATMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) 448-ISZ113N10NM5LF2ATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-ISZ113N10NM5LF2ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	ISZ113N10NM5LF2ATMA1
Kuvaus	ISZ113N10NM5LF2ATMA1 MOSFET
Valmistajan vakio toimitusaika	26 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 100 V 10A (Ta), 63A (Tc) 2,5W (Ta), 100W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-TSDSON-8 FL
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	ISZ113N10NM5LF2ATMA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Infineon Technologies
Sarja	OptiMOS™ 5
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	100 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	10A (Ta), 63A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	11,3mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	3,9V @ 36µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	29 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	2300 pF @ 50 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	2,5W (Ta), 100W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	PG-TSDSON-8 FL
Pakkaus / kotelo	8-PowerTDFN