Name: ISC033N03LF2SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISC033N03LF2SATMA1TR-ND
Price: 0.6024 EUR
Availability: InStock

Uusi tuote

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

ISC033N03LF2SATMA1
DigiKeyn tuotenumero	448-ISC033N03LF2SATMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) 448-ISC033N03LF2SATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-ISC033N03LF2SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	ISC033N03LF2SATMA1
Kuvaus	ISC033N03LF2SATMA1
Valmistajan vakio toimitusaika	26 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 30 V 22A (Ta), 108A (Tc) 3W (Ta), 71W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-TDSON-8-62
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	ISC033N03LF2SATMA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Infineon Technologies
Sarja	StrongIRFET™ 2
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	30 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	22A (Ta), 108A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	3,3mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2,35V @ 30µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	32 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	1400 pF @ 15 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	3W (Ta), 71W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	PG-TDSON-8-62
Pakkaus / kotelo	8-PowerTDFN

Tuotteita koskevat kysymykset ja vastaukset

Katso, mitä suunnittelijat kysyvät, tee kysymyksiä ja auta toisia DigiKeyn suunnitteluyhteisössä

Varastossa: 4 995

Tutustu myös saapuviin tuotteisiin

Määrä

Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR

Cut Tape (CT) & Digi-Reel®