Name: IRFH9310TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFH9310TRPBFTR-ND
Price: 2.09585 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IRFH9310TRPBF
DigiKeyn tuotenumero	IRFH9310TRPBFTR-ND - Rullattu teippi (TR) IRFH9310TRPBFCT-ND - Cut Tape (CT) IRFH9310TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IRFH9310TRPBF
Kuvaus	MOSFET P-CH 30V 21A/40A PQFN
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	P-kanava 30 V 21A (Ta), 40A (Tc) 3,1W (Ta) Kiinnitys pintaan PQFN (5x6)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IRFH9310TRPBF -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Infineon Technologies
Sarja	HEXFET®
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Viimeinen ostohetki
FET-tyyppi	P-kanava
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	30 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	21A (Ta), 40A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	4,6mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2,4V @ 100µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	58 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	5250 pF @ 15 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	3,1W (Ta)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	PQFN (5x6)
Pakkaus / kotelo	8-PowerVDFN
Päätuotenumero	IRFH9310