Name: IQEH54NE2LM7UCGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQEH54NE2LM7UCGATMA1TR-ND
Price: 3.263 EUR
Availability: InStock

Uusi tuote

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IQEH54NE2LM7UCGATMA1
DigiKeyn tuotenumero	448-IQEH54NE2LM7UCGATMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) 448-IQEH54NE2LM7UCGATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IQEH54NE2LM7UCGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IQEH54NE2LM7UCGATMA1
Kuvaus	TRENCH <= 40V
Valmistajan vakio toimitusaika	26 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 25 V 52A (Ta), 406A (Tc) 2,5W (Ta), 150W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-TTFN-9-3
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Infineon Technologies
Sarja	OptiMOS™ 7
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	25 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	52A (Ta), 406A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	0,54mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2V @ 432µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	57 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±16V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	6100 pF @ 12 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	2,5W (Ta), 150W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	PG-TTFN-9-3
Pakkaus / kotelo	9-PowerTDFN