Name: IQDH29NE2LM5CGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQDH29NE2LM5CGATMA1TR-ND
Price: 3.9407 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IQDH29NE2LM5CGATMA1
DigiKeyn tuotenumero	448-IQDH29NE2LM5CGATMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) 448-IQDH29NE2LM5CGATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IQDH29NE2LM5CGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IQDH29NE2LM5CGATMA1
Kuvaus	OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Valmistajan vakio toimitusaika	29 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 25 V 75A (Ta), 789A (Tc) 2,5W (Ta), 278W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-TTFN-9-U02
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IQDH29NE2LM5CGATMA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 2V @ 1,448mA
Valm. Infineon Technologies	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 254 nC @ 10 V
Sarja OptiMOS™ 5	Vgs (maks.) ±16V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 17000 pF @ 12 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 2,5W (Ta), 278W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 25 V	Valmistajan laitepakkaus PG-TTFN-9-U02
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 75A (Ta), 789A (Tc)	Pakkaus / kotelo 9-PowerTDFN
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 4,5V, 10V	Päätuotenumero IQDH29
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 0,29mOhm @ 50A, 10V

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Varastossa: 1 857

Tutustu myös saapuviin tuotteisiin

Määrä

Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR

Cut Tape (CT) & Digi-Reel®