Name: IQDH29NE2LM5SCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQDH29NE2LM5SCATMA1TR-ND
Price: 6.01145 EUR
Availability: OutOfStock

N-kanavatyyppi 25 V 75A (Ta), 789A (Tc) 2,5W (Ta), 278W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-WHSON-8-U02

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IQDH29NE2LM5SCATMA1
DigiKeyn tuotenumero	448-IQDH29NE2LM5SCATMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) 448-IQDH29NE2LM5SCATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IQDH29NE2LM5SCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IQDH29NE2LM5SCATMA1
Kuvaus	OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Valmistajan vakio toimitusaika	61 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 25 V 75A (Ta), 789A (Tc) 2,5W (Ta), 278W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-WHSON-8-U02
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IQDH29NE2LM5SCATMA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 0,29mOhm @ 50A, 10V
Valm. Infineon Technologies	Vgs(th) (maks.) @ Id 2V @ 1,448mA
Sarja OptiMOS™ 5	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 110 nC @ 4.5 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±16V
Osan tila Aktiivinen	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 17000 pF @ 12 V
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Tehohäviö (maks.) 2,5W (Ta), 278W (Tc)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 25 V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 75A (Ta), 789A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus PG-WHSON-8-U02
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 4,5V, 10V	Pakkaus / kotelo 8-PowerWDFN