Name: IQDH29NE2LM5CGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQDH29NE2LM5CGSCATMA1TR-ND
Price: 3.7901 EUR
Availability: OutOfStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IQDH29NE2LM5CGSCATMA1
DigiKeyn tuotenumero	448-IQDH29NE2LM5CGSCATMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) 448-IQDH29NE2LM5CGSCATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IQDH29NE2LM5CGSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IQDH29NE2LM5CGSCATMA1
Kuvaus	OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Valmistajan vakio toimitusaika	39 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 25 V 75A (Ta), 789A (Tc) 2,5W (Ta), 278W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-WHTFN-9-U02
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Infineon Technologies
Sarja	OptiMOS™ 5
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	25 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	75A (Ta), 789A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	0,29mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2V @ 1,448mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	110 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)	±16V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	17000 pF @ 12 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	2,5W (Ta), 278W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	PG-WHTFN-9-U02
Pakkaus / kotelo	9-PowerWDFN