Name: IPW60R190E6FKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPW60R190E6FKSA1-ND
Price: 5.6977 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IPW60R190E6FKSA1
DigiKeyn tuotenumero	IPW60R190E6FKSA1-ND
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IPW60R190E6FKSA1
Kuvaus	MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 600 V 20,2A (Tc) 151W (Tc) Läpivientiaukko PG-TO247-3-1
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IPW60R190E6FKSA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 3,5V @ 630µA
Valm. Infineon Technologies	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 63 nC @ 10 V
Sarja CoolMOS™	Vgs (maks.) ±20V
Pakkaustapa Putki	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 1400 pF @ 100 V
Osan tila Viimeinen ostohetki	Tehohäviö (maks.) 151W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Läpivientiaukko
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 600 V	Valmistajan laitepakkaus PG-TO247-3-1
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 20,2A (Tc)	Pakkaus / kotelo TO-247-3
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 10V	Päätuotenumero IPW60R190
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 190mOhm @ 9,5A, 10V

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Korvaa (10)

Osanumero	Valmistaja	Saatavana oleva määrä	DigiKeyn tuotenumero	Yksikköhinta	Korvaava tyyppi
IPW60R180P7XKSA1	Infineon Technologies	0	IPW60R180P7XKSA1-ND	3,87000 €	MFR Recommended
FCH190N65F-F155	onsemi	381	FCH190N65F-F155-ND	6,40000 €	Samankaltainen
IXFH50N60P3	IXYS	351	238-IXFH50N60P3-ND	11,71000 €	Samankaltainen
IXFR48N60Q3	IXYS	0	IXFR48N60Q3-ND	24,39710 €	Samankaltainen
SIHG22N60E-E3	Vishay Siliconix	500	SIHG22N60E-E3-ND	4,89000 €	Samankaltainen