IPTG111N20NM3FDATMA1 Infineon Technologies | Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IPTG111N20NM3FDATMA1
DigiKeyn tuotenumero	448-IPTG111N20NM3FDATMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) 448-IPTG111N20NM3FDATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IPTG111N20NM3FDATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IPTG111N20NM3FDATMA1
Kuvaus	TRENCH >=100V PG-HSOG-8
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 200 V 10,8A (Ta), 108A (Tc) 3,8W (Ta), 375W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-HSOG-8-1
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IPTG111N20NM3FDATMA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Infineon Technologies
Sarja	OptiMOS™ 3
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Valmistus lopetettu Digi-Keyllä
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	200 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	10,8A (Ta), 108A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	11,1mOhm @ 96A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4V @ 267µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	81 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	7000 pF @ 100 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	3,8W (Ta), 375W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	PG-HSOG-8-1
Pakkaus / kotelo	8-PowerSMD, lokinsiipi
Päätuotenumero	IPTG111N