IPP120P04P4L03AKSA2 Infineon Technologies | Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina

IPP120P04P4L03AKSA2 on vanhentunut, eikä sitä enää valmisteta.

Saatavana olevat korvaavat osat:

Samankaltainen

Goford Semiconductor

Varastossa: 0

Yksikköhinta : 24,85000 €

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IPP120P04P4L03AKSA2
DigiKeyn tuotenumero	448-IPP120P04P4L03AKSA2-ND
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IPP120P04P4L03AKSA2
Kuvaus	MOSFET P-CH 40V 120A TO220-3
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	P-kanava 40 V 120A (Tc) 136W (Tc) Läpivientiaukko PG-TO220-3-1
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IPP120P04P4L03AKSA2 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Infineon Technologies
Sarja	OptiMOS™ P2
Pakkaustapa	Putki
Osan tila	Vanhentunut
FET-tyyppi	P-kanava
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	40 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	120A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	3,4mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2,2V @ 340µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	234 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	+5V, -16V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	15000 pF @ 25 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	136W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	Autoteollisuus
Hyväksyntä	AEC-Q100
Asennustyyppi	Läpivientiaukko
Valmistajan laitepakkaus	PG-TO220-3-1
Pakkaus / kotelo	TO-220-3
Päätuotenumero	IPP120