IPD80R1K0CEBTMA1 on loppunut, eikä siitä voi tällä hetkellä tehdä jälkitilausta.
Saatavana olevat korvaavat osat:

Parametrisesti vastaava


Infineon Technologies
Varastossa: 4 244
Yksikköhinta : 1,74000 €
Tekniset tiedot

Samankaltainen


STMicroelectronics
Varastossa: 10 988
Yksikköhinta : 2,31000 €
Tekniset tiedot
PG-TO252-3-11
Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IPD80R1K0CEBTMA1

DigiKeyn tuotenumero
IPD80R1K0CEBTMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR)
Valmistaja
Valmistajan tuotenumero
IPD80R1K0CEBTMA1
Kuvaus
MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus
N-kanavatyyppi 800 V 5,7A (Tc) 83W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-TO252-3-11
Tekniset tiedot
 Tekniset tiedot
Tuotteen ominaisuudet
Tyyppi
Kuvaus
Valitse kaikki
Kategoria
Valm.
Sarja
Pakkaustapa
Rullattu teippi (TR)
Osan tila
Valmistus lopetettu Digi-Keyllä
FET-tyyppi
Teknologia
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)
800 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)
10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
950mOhm @ 3,6A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id
3,9V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds
785 pF @ 100 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (maks.)
83W (Tc)
Toimintalämpötila
-55°C – 150°C (TJ)
Luokka
-
Hyväksyntä
-
Asennustyyppi
Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus
PG-TO252-3-11
Pakkaus / kotelo
Päätuotenumero
Tuotteita koskevat kysymykset ja vastaukset

Katso, mitä suunnittelijat kysyvät, tee kysymyksiä ja auta toisia DigiKeyn suunnitteluyhteisössä

0 varastossa
Koska tuotteen saanti on tilapäisesti rajoitettua, jälkitilaukset eivät ole mahdollisia eikä toimitusaikaa ole tällä hetkellä saatavilla. Näytä Korvaavat osat.