Name: IPD80R1K0CEATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD80R1K0CEATMA1TR-ND
Price: 2.17115 EUR
Availability: InStock

IPD80R1K0CEATMA1
DigiKeyn tuotenumero	IPD80R1K0CEATMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) IPD80R1K0CEATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) IPD80R1K0CEATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IPD80R1K0CEATMA1
Kuvaus	MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 800 V 5,7A (Tc) 83W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-TO252-3
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IPD80R1K0CEATMA1 -mallit

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Infineon Technologies
Sarja	CoolMOS™ CE
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Ei uusiin suunnitelmiin
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	800 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	5,7A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	950mOhm @ 3,6A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	3,9V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	31 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	785 pF @ 100 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	83W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	PG-TO252-3
Pakkaus / kotelo	TO-252-3, DPAK (2 jalkaa + juotoskohta), SC-63
Päätuotenumero	IPD80R1

Yksikköhinta ilman ALV-veroa:	1,73000 €
Yksikköhinta ALV-veron kanssa:	2,17115 €

IPD80R1K0CEATMA1