Name: IPB029N06N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB029N06N3GATMA1TR-ND
Price: 3.04965 EUR
Availability: InStock

Tarvitsetko apua?

Palaute

Tietoja DigiKeystä Markkinapaikka Myy DigiKey.com-verkkokaupassa Työpaikat Sivustokartta Digitaaliset ratkaisut Uutiset

Käyttäjätuki Tilauksen status Toimituskulut ja toimitusvaihtoehdot Palautukset ja ongelmat tilausten kanssa

(+358) 9 817 105 74 eu.support@digikey.com

IPB029N06N3GATMA1
DigiKeyn tuotenumero	IPB029N06N3GATMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) IPB029N06N3GATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) IPB029N06N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IPB029N06N3GATMA1
Kuvaus	MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Valmistajan vakio toimitusaika	14 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 60 V 120A (Tc) 188W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-TO263-3
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IPB029N06N3GATMA1 -mallit

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Infineon Technologies
Sarja	OptiMOS™
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	60 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	120A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	2,9mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4V @ 118µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	165 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	13000 pF @ 30 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	188W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	PG-TO263-3
Pakkaus / kotelo	TO-263-3, D2PAK (2 jalkaa + juotoskohta), TO-263AB
Päätuotenumero	IPB029

Määrä	Yksikköhinta	Yhteensä
1 000	0,80390 €	803,90 €
2 000	0,75036 €	1 500,72 €

Yksikköhinta ilman ALV-veroa:	2,43000 €
Yksikköhinta ALV-veron kanssa:	3,04965 €

IPB029N06N3GATMA1