Name: IPB029N06N3GE8187ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB029N06N3GE8187ATMA1TR-ND
Price: 3.80265 EUR
Availability: OutOfStock

N-kanavatyyppi 60 V 120A (Tc) 188W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-TO263-3

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IPB029N06N3GE8187ATMA1
DigiKeyn tuotenumero	448-IPB029N06N3GE8187ATMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) 448-IPB029N06N3GE8187ATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IPB029N06N3GE8187ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IPB029N06N3GE8187ATMA1
Kuvaus	MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Valmistajan vakio toimitusaika	27 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 60 V 120A (Tc) 188W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-TO263-3
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 4V @ 118µA
Valm. Infineon Technologies	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 165 nC @ 10 V
Sarja OptiMOS™	Vgs (maks.) ±20V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 13000 pF @ 30 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 188W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 60 V	Valmistajan laitepakkaus PG-TO263-3
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 120A (Tc)	Pakkaus / kotelo TO-263-3, D2PAK (2 jalkaa + juotoskohta), TO-263AB
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 10V	Päätuotenumero IPB029
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 3,2mOhm @ 100A, 10V